Ученые в Петербурге впервые получили магнитный оксид галлия
В Петербурге впервые получили кристаллы оксида галлия с железом, магнитные при комнатной температуре. Их рассматривают для энергоэффективной памяти, сообщили ТАСС в пресс-службе ЛЭТИ.
Работу выполнили исследователи Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ», Санкт-Петербургского государственного университета и Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН. Монокристаллы вырастили раствор-расплавным методом и сильно легировали железом.
Профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», старший научный сотрудник лаборатории физики профилированных кристаллов ФТИ имени Иоффе РАН Камиль Гареев сообщил, что в полученном материале обнаружили признаки магнитного упорядочения при комнатной температуре.
Оксид галлия считают перспективной заменой кремния для силовой электроники. Для развития спинтроники нужны полупроводники, у которых можно контролировать и электрические, и магнитные свойства. Такие материалы могут использовать для энергонезависимой и экономичной памяти.
Заведующий лабораторией физики профилированных кристаллов ФТИ имени Иоффе РАН Владимир Николаев заявил, что исследование приближает получение ферромагнитных свойств у оксида галлия. В перспективе это может помочь создать приборы для быстрой коммутации энергии в высоковольтных линиях и хранения данных на одном кристалле.